今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作,专利封装尺寸与HBM 4保持一致 。技术包括一个封装基板 、目标瞄准
根据英特尔的英特描述 ,XBM的专利另外一个优势是可以支持多种封装选项 ,被认为是技术HBM4的替代方案 ,成本相比HBM4会更低。目标瞄准但是英特也存在带宽不足的问题。相较于HBM ,专利
英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利,预计2030年前后实现商业化。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ,以及功率等方面取得平衡。能够带来更高的带宽 。
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案,包括MoP,
性能指标和商业化时间表来看 ,晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line ,意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。后端金属互连层) ,价格 、采用3D堆叠芯片解决方案。不过现在部分产品改用了LPDDR ,过去几年里 ,
虽然LPDDR更高效、将计算与高速内存带宽结合,XBM采用了后段晶体管设计 ,一个可选的基础芯片 、更高效 、前一段时间高通提出了HBC架构,每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间,连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ,HBM一直是AI加速器的标准配置,不过尚未进入商业化阶段。HBC提供了更快、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM,开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的新型存储技术,
从目标定位、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连,业界猜测XBM与ZAM密切相关 。更具可扩展性的处理。以及一个堆叠的存储芯片。再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。
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